3D晶體管之父胡正明獲IEEE最高榮譽(yù)，他是臺積電前CTO，為摩爾定律續(xù)命十幾年
他還是中科院外籍院士，清華大學(xué)榮譽(yù)教授。
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IEEE最高榮譽(yù)揭曉，華人科學(xué)家斬獲年度殊榮。
近日，國際電子電氣工程學(xué)會(IEEE)公布了2020年IEEE榮譽(yù)獎?wù)?/strong>獲得者，華人學(xué)者胡正明獲獎，他是歷史上第三位獲得該獎項的華人學(xué)者。
△ 胡正明（圖片來自IEEE）
胡正明獲獎原因是他“開發(fā)半導(dǎo)體模型并將其投入生產(chǎn)實踐，尤其是3D器件結(jié)構(gòu)，使摩爾定律又持續(xù)了數(shù)十年”。摩爾也曾在2008年獲得過IEEE榮譽(yù)獎?wù)隆?/p>
胡正明于1999年開發(fā)出了FinFET，因此被稱為3D晶體管之父。這項發(fā)明被看做是50多年來半導(dǎo)體技術(shù)的重大轉(zhuǎn)變。
當(dāng)晶體管的尺寸小于25納米時，傳統(tǒng)的平面場效應(yīng)管的尺寸已經(jīng)無法縮小。FinFET的出現(xiàn)將場效應(yīng)管立體化，晶體管密度才能進(jìn)一步加大，讓摩爾定律得以維持下去。
FinFET是現(xiàn)代納米電子半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)，現(xiàn)在7nm芯片使用的就是FinFET設(shè)計。
關(guān)于IEEE榮譽(yù)獎?wù)?/h2>
IEEE榮譽(yù)獎?wù)拢↖EEE Medal of Honor），創(chuàng)立于1917年，每年僅授予一人，是國際電子電氣工程學(xué)會的最高榮譽(yù)，也是世界電氣電子工程學(xué)界的最高獎勵。
歷史獲得該獎?wù)碌闹耸窟€有晶體管發(fā)明者巴丁和信息論創(chuàng)始人香農(nóng)。
此前僅有兩位華人獲得過該獎?wù)?，分別是貝爾實驗室研發(fā)部前主任卓以和（1994年）、臺積電前董事長張忠謀（2011年）。
今年的獎項計劃在5月15日在溫哥華舉辦“的IEEE愿景、創(chuàng)新和挑戰(zhàn)峰會”上的年度IEEE榮譽(yù)典禮上頒發(fā)。
胡正明簡介
胡正明1947年出生于北京，后移居臺灣，1968年畢業(yè)于臺灣大學(xué)電機(jī)工程系。此后赴美國留學(xué)，1973年獲加州大學(xué)伯克利分校博士學(xué)位。
自1976年以來，他一直是加州大學(xué)伯克利分校電氣工程和計算機(jī)系的教授。他還投身產(chǎn)業(yè)界，曾擔(dān)任半導(dǎo)體制造商安霸的董事會成員，后來于2001~2004年又擔(dān)任臺積電CTO。
在學(xué)術(shù)方面，胡正明總共撰寫了五本書，發(fā)表了900篇研究論文，并擁有100多項美國專利。
胡正明還是IEEE Fellow、美國國家工程院院士、中國科學(xué)院外籍院士，并且還是中國科學(xué)院微電子所、清華大學(xué)等院校的榮譽(yù)教授。
胡正明多次獲得過IEEE授予的榮譽(yù)獎項，2016年入選硅谷工程師名人堂，并在當(dāng)年由美國總統(tǒng)奧巴馬授予白宮國家技術(shù)創(chuàng)新獎。
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