3D晶體管之父胡正明獲IEEE最高榮譽(yù)，他是臺(tái)積電前CTO，為摩爾定律續(xù)命十幾年
他還是中科院外籍院士，清華大學(xué)榮譽(yù)教授。
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IEEE最高榮譽(yù)揭曉，華人科學(xué)家斬獲年度殊榮。
近日，國(guó)際電子電氣工程學(xué)會(huì)(IEEE)公布了2020年IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)?/strong>獲得者，華人學(xué)者胡正明獲獎(jiǎng)，他是歷史上第三位獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的華人學(xué)者。
△ 胡正明（圖片來(lái)自IEEE）
胡正明獲獎(jiǎng)原因是他“開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體模型并將其投入生產(chǎn)實(shí)踐，尤其是3D器件結(jié)構(gòu)，使摩爾定律又持續(xù)了數(shù)十年”。摩爾也曾在2008年獲得過(guò)IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)隆?/p>
胡正明于1999年開(kāi)發(fā)出了FinFET，因此被稱(chēng)為3D晶體管之父。這項(xiàng)發(fā)明被看做是50多年來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的重大轉(zhuǎn)變。
當(dāng)晶體管的尺寸小于25納米時(shí)，傳統(tǒng)的平面場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸已經(jīng)無(wú)法縮小。FinFET的出現(xiàn)將場(chǎng)效應(yīng)管立體化，晶體管密度才能進(jìn)一步加大，讓摩爾定律得以維持下去。
FinFET是現(xiàn)代納米電子半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)，現(xiàn)在7nm芯片使用的就是FinFET設(shè)計(jì)。
關(guān)于IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)?/h2>
IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)拢↖EEE Medal of Honor），創(chuàng)立于1917年，每年僅授予一人，是國(guó)際電子電氣工程學(xué)會(huì)的最高榮譽(yù)，也是世界電氣電子工程學(xué)界的最高獎(jiǎng)勵(lì)。
歷史獲得該獎(jiǎng)?wù)碌闹耸窟€有晶體管發(fā)明者巴丁和信息論創(chuàng)始人香農(nóng)。
此前僅有兩位華人獲得過(guò)該獎(jiǎng)?wù)?，分別是貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)部前主任卓以和（1994年）、臺(tái)積電前董事長(zhǎng)張忠謀（2011年）。
今年的獎(jiǎng)項(xiàng)計(jì)劃在5月15日在溫哥華舉辦“的IEEE愿景、創(chuàng)新和挑戰(zhàn)峰會(huì)”上的年度IEEE榮譽(yù)典禮上頒發(fā)。
胡正明簡(jiǎn)介
胡正明1947年出生于北京，后移居臺(tái)灣，1968年畢業(yè)于臺(tái)灣大學(xué)電機(jī)工程系。此后赴美國(guó)留學(xué)，1973年獲加州大學(xué)伯克利分校博士學(xué)位。
自1976年以來(lái)，他一直是加州大學(xué)伯克利分校電氣工程和計(jì)算機(jī)系的教授。他還投身產(chǎn)業(yè)界，曾擔(dān)任半導(dǎo)體制造商安霸的董事會(huì)成員，后來(lái)于2001~2004年又擔(dān)任臺(tái)積電CTO。
在學(xué)術(shù)方面，胡正明總共撰寫(xiě)了五本書(shū)，發(fā)表了900篇研究論文，并擁有100多項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。
胡正明還是IEEE Fellow、美國(guó)國(guó)家工程院院士、中國(guó)科學(xué)院外籍院士，并且還是中國(guó)科學(xué)院微電子所、清華大學(xué)等院校的榮譽(yù)教授。
胡正明多次獲得過(guò)IEEE授予的榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)，2016年入選硅谷工程師名人堂，并在當(dāng)年由美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬授予白宮國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)。
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